Persimpangan emiter berada di dekat Basis-B (B2) dan jauh dari Basis-1 (B1) sehingga perangkat nampak tidak simetris. Hal ini karena unit simetris tidak memberikan karakteristik secara optimal untuk kebanyakan aplikasi.
Pada gambar simbol UJT di atas, kaki emiter ditarik pada sudut menuju garis vertikal mewakili pelat bahan Tipe-N dan titik panah menuju arus yang konvensional saat perangkat bias ke depan, aktif atau sedang dalam keadaan konduksi.
Sementara untuk UJT komplementer dapat terbentuk dengan cara menyebarkan terminal emitor tipe-N pada type-P base. Terkecuali untuk polaritas tegangan dan arus, UJT komplementer memiliki karakter yang hampir sama seperti UJT Konvensional.
Cara Kerja Uni Junction Transistor
Seperti misalnya, jika tegangan suplai emitor ditolak sampai dengan nol. Lalu untuk tegangan intrinsik Stand-Off Reverse-Bias dioda emitor. Apabila VB – tegangan pembatas berasal dari dioda emitor, maka untuk tegangan reverse bias total yaitu VA + VB =Ƞ VBB + VB . Sedangkan untuk silikon VB = 0,7 V.
Tegangan suplai emitor VE secara perlahan akan mengalami peningkatan. Jika VE sudah setara dengan VBB maka IEo akan berubah menjadi Nol. Dengan tegangan yang sama di masing-masing sisi dioda, arus balik ataupun arus maju tidak akan bisa mengalir. Jika tegangan suplai emitor sudah meningkat, dioda akan menjadi bisa ke depan setelah melalui tegangan total bias balik ( ȠVBB + VB).
Untuk nilai dari tegangan emitor VE biasa disebut dengan tegangan puncak dan dilambangkan dengan VP. Jika VE = VP, arus emitor IE akan mengalir dengan melewati RB1 ke ground, yakni B1.
