Ketuk (X) Untuk Menutup

Selamat Datang

Di RODABLOG

×

Pengertian Photodioda Dan Prinsip Kerjanya


photodioda

Masing-masih bahan tersebut sudah pasti memiliki spesifikasi dan karakteristik yang berbeda-beda. Berikut ini adalah penjelasan secara lebih detail mengenai bahan-bahan semikonduktor untuk komponen dioda foto:

  • Silikon (Si): Arus gelap yang rendah, memiliki kecepatan tinggi, tingkat kepekaan (sensitivitas) yang cukup baik pada jarak kurang lebih sekitar 400nm sampaidengan 1000 nm (paling bagus di jarak 800nm sampai 900nm).
  • Gernamium (Ge): Arus yang lebih tinggi, memiliki kecepatan rendah, tingkat kepekaan (sensitivitas) yang cukup baik pada jarak kurang lebih sekitar 900nm sampai dengan 1600nm (paling bagus di jarak 1400 sampai 1500nm).
  • Indium Gallium Arsenide Phosphide (InGaAsP): Mahal, arus gelap yang rendah, memiliki kecepatan yang tinggi, tingkat kepekaan (sensitivitas) yang cukup baik di jarak kurang lebih sekitar 1000nm sampai 1350nm (paling bagus di jarak 1100nm sampai 1300nm).
  • Indium Gallium Arsenide (InGaAs): Mahal, arus gelap yang rendah, memiliki kecepatan yang tinggi, tingkat kepekaan (sensitivitas) yang cukup baik pada jarak sekitar 900nm sampai dengan 1700 nm (paling bagus pada jarak 1300nm sampai 1600 nm).

Bentuk dan Simbol Dioda Foto

Bentuk dan Simbol Photodiode



Simbol komponen dioda foto ditandai dengan adanya tanda panah kedalam. Jika diperhatikan secara lebih teliti, simbol dioda foto adalah kebalikan dari LED, apabila LED panahnya keluar maka simbol dioda foto panahnya ke dalam.

Dioda sendiri memiliki bentuk fisik yang sangat beragam, ada yang bentuknya sama persis dengan led, ada yang memiliki bentuk sensor, dan lainnya. Berikut ini adalah bentuk fisik dan simbol dioda foto:

Prinsip Kerja Dioda Foto (Photodioda)

Prinsip Kerja Dioda Foto

Komponen dioda foto terdiri dari sebuah lapisan tipis semikonduktor tipe-N yang mempunyai cukup banyak elektron dan sebuah lapisan tebal semikonduktor tipe-P yang mempunyai kebanyakan hole. Dalam hal ini untuk lapisan semikonduktor tipe-N adalah katoda, sementara untuk lapisan semikonduktor tipe-P merupakan anoda.

Ketika dioda foto terkena cahaya, foton yang merupakan partikel paling kecil cahaya akan melewati lapisan semikonduktor tipe-N sehingga bisa masuk pada lapisan semikonduktor tipe-P.

Foton-foton tersebut nantinya akan bertabrakan dengan banyak elektron yang terikat sehingga elektron akan terpisah secara langsung dari intinya. Inilah yang menjadi penyebab terjadinya hole.

Elektron yang terpisah karena tabrakan dan berada dekat persimpangan PN (PN Junction) akan melewati persimpangan tersebut ke sekitaran semikonduktor tipe-N. Dengan demikian maka elektron akan semakin bertambah pada sisi semikonduktor N, sementara sisi semikonduktor P akan kelebihan Hole.